Gentle Mill Ion Milling
Gentle Mill 离子精修仪

Technoorg Gentle Mill 离子精修仪产品专为最终抛光、精修和改善 FIB 处理后的样品而设计。

Gentle Mill 型号非常适合要求样品无加工痕迹、表面几乎没有任何损坏的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用户。

  • 产品概况
  • 产品功能
  • 产品应用
  • 规格参数
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Automated operation
自动化操作

第三代 Gentle Mill 离子精修仪采用简单便捷的图形界面,可进行全电脑控制。所有切削参数,包括离子枪设置、气流控制与其他参数(如样品运动和倾斜角度、穿孔检测)的设置,都可以存储或以任意步骤进行预编程。 这种全自动功能实现了在最少的人工干预下制备高质量的样品的功能。

The final step
制样的最后一步

获得专利的离子枪的卓越性能提供了一种有效但非常温和的清洁能力,可提高已制备的 TEM 样品或 FIB 样品的质量。此型号推荐给追求最佳效果或有特殊需求的用户。

Protective transfer capsule
转移胶囊提供样品保护

Gentle Mill 的最新功能可以在真空或惰性气体环境下转移极其敏感的样品。 转移胶囊提供有效的保护,防止转移样品时的氧气、蒸汽或其他成分破坏或污染样品表面。

SPECIAL OPTION FOR DIRECT APPLICATION WITH HITACHI’s FIB/STEM SYSTEMS
直接应用于 HITACHI 的 FIB/STEM 系统

Hitachi 和 Technoorg Linda 共同研究推出了适配Hitachi 的 FIB/STEM 系统的 Gentle Mill 离子精修仪,为特定位置和低损伤样品制备提供了完整的解决方案。半自动和全自动 Gentle Mill 的低能量离子切削与精修功能用于 FIB 样品制备的最后阶段,以去除非晶化或遭到损坏的表面层。这些制备好的样品可直接放入Hitachi 的 3D FIB/STEM 样品台,因此样品制备时间可以大大减少。

Online monitoring and support
在线监控和支持

Gentle Mill 同时附带软件扩展包,可以通过在线网络即时检测错误,以便及时消除问题。

Product Application
产品应用

Gentle Mill 对在各种 FIB 制备的样品进行低能量 Ar+ 氩离子研磨显着降低了受损的非晶表面层的厚度。可以实现对 65 nm 节点半导体器件进行原子级结构分析。

Product Application
产品应用

Si 中的晶面[110]。 使用 Gentle Mill 在 200 eV 离子能量和 3°入射角下通过 Ar+ 氩离子研磨对样品进行减薄。图片由劳伦斯伯克利实验室国家电子显微镜中心提供。

Product Application
产品应用

GaSb/InAs 超晶格。 使用 Gentle Mill 制备样品:在 2000 eV 下减薄直至穿孔,然后在 1000 eV 下修整,最后在 300 eV 下精修。 图片由 Technion(以色列)提供。

Product Specification
产品规格参数
低能离子枪(固定型)  
离子能量 100 - 2000 eV,连续可调
离子电流密度 最大 10 mA/cm2
离子束流 7 - 80 μA,连续可调
离子束直径 750 - 1200 μm (FWHM)
电控优化的工作气流 在 2000 eV 离子能量和 30° 入射角下,c-Si 的研磨速 率为 28 μm/h

 

样品台  
切削角度 0° - 40°,每 0.1° 连续可调
可进行计算机控制的平面内样品旋转和摆动 从 ±10° 到 ±120°,每 10° 连续可调
可适用的 TEM 样品的厚度范围 30 -200 μm

 

样品处理
用于快速样品交换的真空锁系统
全机械、无胶装载
专为 XTEM 样品设计的钛夹和封装技术

 

真空系统
Pfeiffer 真空系统配备无油隔膜和涡轮分子泵,配备紧凑 的全范围 Pirani/Penning 真空计

 

供气系统
99.999% 纯氩气,绝对压力为 1.3 - 1.7 bar
带有电子出口压力监测功能的惰性气体专用压力调节器
工作气体流量高精准控制

 

成像系统
用于全视觉控制和切削监控/终止的 CMOS 相机图像
高分辨率彩色 CMOS 相机
50 - 400 倍放大范围的手动变焦视频镜头

 

电脑控制
内置工业级计算机
简单便捷的图形界面和图像分析模块
通过鼠标点击或拖动轻松控制所有重要参数
高度自动化的操作机制,最大限度地减少人工干预
支持预编程或手动调节切削和抛光次数
自动终止:图像分析模块支持的切削过程的光学终止 ( 通过检测薄区穿孔或监测表面形貌)

 

电源要求
100 - 120 V/3.0 A/60 Hz 或 220 - 240 V/1.5 A/50 Hz ‒ 单相

 

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