产品特点：

TERA-Fab E-series 是基于光束笔光刻（Beam Pen Lithography, BPL）技术的高分辨率无掩膜光刻纳米制造系统。设备通过先进光源引擎、数字光处理模块（DLP）与大规模并行微光束阵列，实现从亚衍射极限纳米图案到微米尺度结构的灵活加工。E-series 可在无需实体光掩膜的情况下，通过上传数字图案快速完成图形设计与曝光加工，支持 PNG、JPG、BMP 等图像文件，并可在实验过程中实时调整图案。该系统兼具高分辨率、高通量和材料兼容性，可广泛应用于微流控器件、生物工程、灰度光刻、传感器、电子器件、表面功能化及微纳结构原型制造等方向。

产品详情：

光束笔光刻无掩膜光刻系统 E-series，采用 TERA-print 独有的 BPL 光束笔光刻技术，将高度并行的开孔探针阵列与数字光处理系统相结合，可独立控制大量微光束并行工作，实现任意图案的高效直写。设备在 BPL 模式下可实现低于 250 nm 的亚衍射极限分辨率，也可作为数字无掩膜光刻平台，在不使用光束笔阵列的情况下实现大于 1.25 μm 的微米级图案加工。E-series 具备多波长光源选择，可覆盖紫外到可见光范围，并配合自动对准功能与直观的软件控制界面，使不同背景的科研人员经过短时间培训即可完成微纳图案设计、曝光和原型加工。该设备适用于光刻胶、光敏材料、水凝胶、软硬材料表面图案化，以及微流控通道模具、生物支架、复杂灰度结构和功能器件的快速制备。

光束笔光刻（BPL）使用一种特殊的、大规模并行排列的带孔探针阵列，并配备高度先进的数字光处理（DLP） 模块，可独立控制数十万束微光束并行工作。BPL 技术中，每个探针可以创建独立的微图案，或者阵列中的所有探针可以协同工作，无缝拼接毫米级的大尺寸图案。BPL 的分辨率取决于探针孔径的大小。通过缩小孔径，可以实现亚衍射极限 （<250 nm）的分辨率。BPL 不仅对波长没有限制，而且可以在常温常压下工作（无需真空）。因此，BPL 可用于对各种软硬材料进行图案化。